杭州富加镓业科技有限公司成立于2019年12月31日,公司以“让世界用上好材料”为愿景,开展超宽禁带半导体氧化镓材料的产业化工作,核心产品为氧化镓单晶衬底、MOCVD/MBE 外延片、布里奇曼法(VB法)及导模法(EFG法)晶体生长装备等,为材料研制提供系统性解决方案,加速超宽禁带氧化镓产业全链路贯通,推进氧化镓材料在功率器件、微波射频器件及光电探测等领域应用。
2英寸氧化镓衬底
2英寸氧化镓晶锭
杭州富加镓业科技有限公司(简称"富加镓业")(011)面氧化镓(Ga₂O₃)单晶衬底已具备稳定批量供应能力,可面向国内外科研机构及企业持续交付。这一进展标志着富加镓业在氧化镓衬底多晶面、多规格产品化布局上取得重要突破,进一步完善了公司的产品矩阵。
近日,杭州谱析光晶半导体科技有限公司与杭州富加镓业科技有限公司正式签署战略合作协议。双方将立足各自在超宽禁带半导体材料与高可靠功率芯片、模块及系统领域的技术和产业积累,拓展氧化镓器件在深地、航天、特种机器人、AI算力、可控核聚变等领域应用。 富加镓业深耕氧化镓材料产业化,已形成覆盖单晶生长、衬底加工、MOCVD/MBE同质外延及器件验证的技术布局,能够为下游提供大尺寸、高质量氧化镓衬底和外延材料;...
Homoepitaxial growth of Si-doped β-Ga2O3 films on semi-insulating (100) β-Ga2O3 substrates by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) is studied in this work. By appropriately optimizing the gr...