喜报!富加镓业获“半导体材料技术创新奖”

发布时间:2026-05-29

2026年5月14日,杭州,国际半导体与集成电路产业创新展览会(简称“长芯展”)现场。杭州富加镓业科技有限公司(以下简称“富加镓业”)凭借在超宽禁带半导体氧化镓领域的硬核突破,一举荣膺 “半导体材料技术创新奖”。这不仅是对富加镓业近年来卓越成就的权威认可,更是对“富加速度”最响亮的注解。


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氧化镓产业发展,跑出“富加速度”

从零起步,到世界领先——富加镓业用不到七年时间,书写了中国氧化镓产业的崛起传奇。


2019年

——富加镓业成立,目标清晰而坚定:打通氧化镓全产业链,推动其在功率器件、微波射频、光电探测等领域规模化应用。


2021年

——率先布局人工智能辅助单晶生长研究,抢占国际专利高地,已获美国、日本及欧盟授权国际专利14项。


2022年

——同时布局MOCVD与MBE外延技术,成为国内唯一能提供MBE外延片产品的单位;同年,“一键长晶”技术及装备取得突破,2024年登上CCTV1,为产业落地打下坚实基础。


2023

——率先引入坩埚下降法(VB法)生长氧化镓单晶,将技术路线从单一导模法拓展至双法并行。


2024年

——率先生长出国内第一颗导模法(EFG)6英寸导电型单晶;连续实现VB法3英寸、4英寸氧化镓单晶生长突破——均为国内首次;开工建设国内首条年产10000片6/8英寸氧化镓单晶及外延产线。


2025年

——国际上最大的VB法6英寸、8英寸氧化镓单晶相继出炉;MOCVD同质外延技术取得重大突破,制备出厚度超10μm的外延片,迁移率达181.6 cm²/V·s,国际领先;牵头起草首个氧化镓领域国家标准《氧化镓单晶抛光片》。


2026年

——全球第一颗12英寸氧化镓单晶横空出世;国内首次联合下游用户推出芯片级封装测试的氧化镓二极管器件;自主研发的同质外延片助力九峰山实验室研制出击穿电压超9000V的氧化镓横向MOSFET器件,刷新世界纪录!

追求永无止境,“让世界用上好材料”——富加镓业,正在用一次次突破,回应这个时代最深切的呼唤。


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