近日，国际光学旗舰期刊《Opto-Electronic Science》以封面论文形式，在线发表了一项关于氧化镓光电导开关（PCSS）的重磅研究成果，论文题为《Phonon-assisted absorption photoconductive switch》（声子辅助吸收的光电导开关）。

近日，位于杭州富春湾新城的杭州富加镓业科技有限公司首次成功制备出12英寸氧化镓单晶，这一成果刷新了全球氧化镓单晶尺寸的最高纪录，也将为新能源汽车、新型储能、智能电网、数据中心等前沿技术领域的产业化进程提速。

“氧化镓单晶材料缺陷研究专题研讨会”在浙江杭州成功召开，富加镓业科技有限公司联合承办！

4月2日，上海市宽禁带与超宽禁带半导体材料重点实验室（以下简称实验室）学术委员会成立暨第一次会议在上海临港召开。西安电子科技大学郝跃院士、浙江大学杨德仁院士、南京大学祝世宁院士等学术委员会专家，以及上海市科委、临港新片区相关负责同志、上海天岳半导体材料科技股份有限公司（以下简称上海天岳）、中国科学院上海光学精密机械研究所（以下简称上海光机所）及科研骨干代表参加会议。

2026年3月26日，杭州富加镓业科技有限公司（下称“富加镓业”）宣布在国际上首次成功制备出12英寸氧化镓单晶，为“十五五”规划开局之年的中国半导体产业投下了一颗重磅炸弹。而这一历史性突破的背后，是其早已构建的深厚技术护城河。

“十五五”规划开局之年，富加镓业再次迎来历史性突破！3月26日，富加镓业宣布在国际上首次成功制备出12英寸氧化镓（Ga₂O₃）单晶，这是继2025年12月成功制备8英寸氧化镓晶体后，再次取得的重大技术突破。这一突破不仅刷新了全球氧化镓单晶尺寸的最高纪录，更标志着我国在第四代半导体核心材料产业化进程中迈出了决定性一步，而富加镓业也成为国际上首家掌握12英寸氧化镓单晶生长技术的企业。

026年3月12日，第十四届全国人民代表大会第四次会议正式批准《中华人民共和国国民经济和社会发展第十五个五年（2026—2030年）规划纲要》（以下简称"十五五"规划）。在这份覆盖2026至2030年国家发展全局的战略蓝图（“十五五”规划纲要（草案））中，“新产业新赛道培育发展”专栏明确提出要“加快宽禁带半导体产业提质升级，推动氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体产业化发展”。这一国家级战略部署，为第四代半导体材料的发展注入了强劲动力。

氧化镓推进者——齐红基：架起产业化桥梁的故事       一个星期里3天在杭州、3天在上海，另外一天还可能会往返两地，再加上时不时出差，齐红基的家人经常弄不清楚他身在哪里。       齐红基有两个身份，每个身份都有“光”：作为一名科学工作者，他是中国科学院上海光学精密机械研究所的研究员，为高功率激光大科学装置研制出多种必不可少的材料或元器件；作为一名科技成果转化、熟化的管理者，他目前担任杭州光学精密机械研究所所长。       杭光所成立之初，计划筛选一批优质科研成果在孵化平台上进行成果熟化及产业化。齐红基精心挑 ...