近日，杭州富加镓业科技有限公司自主研发的氧化镓 EFG 法设备完成现场验收并顺利下线。这款具备 “一键长晶” 功能的设备实现晶体生长智能化控制，标志着氧化镓单晶制备技术取得重大突破，为高性能半导体材料的规模化生产奠定坚实基础。

近日，杭州富加镓业科技有限公司（以下简称：富加镓业）在氧化镓MOCVD同质外延技术方面再次取得突破，经国家权威检测机构——中国计量科学研究院测试表明，厚度超10μm的氧化镓同质外延片载流子浓度为4.2E16cm-3，迁移率达到181.6cm2/V·s。基于MOCVD技术的高质量氧化镓同质外延片的研制成功，将有效助力氧化镓高压大功率电力电子器件产业的快速落地。

近日，杭州富加镓业科技有限公司（以下简称：富加镓业）在氧化镓MOCVD同质外延薄膜研发方面取得重要技术突破，在富加镓业的氧化镓单晶衬底上同质外延出厚度超过10微米的薄膜，经国家权威检测机构验证，该技术已达到国际领先水平，相关标准化产品将于2025年4月上市，为新能源汽车高压平台、智能电网柔性输电装置等高端装备提供关键材料支撑。

近期，杭州富加镓业科技有限公司（以下简称富加镓业）导模法“一键长晶”技术通过专家组现场评估，全自动晶体生长装备为未来氧化镓材料产业化奠定坚实基础。

杭州富加镓业科技有限公司始终坚持产业化导向，继突破导模法（EFG）6英寸导电型、绝缘型衬底生长技术及EFG“一键长晶”装备后，2024年7月，基于模拟仿真技术成功研制了氧化镓坩埚下降法（VB）长晶装备，并实现了3英寸氧化镓单晶生长。

在国内外同行重点关注氧化镓单晶材料研制的同时，杭州富加镓业科技有限公司（以下简称富加镓业）提前布局氧化镓外延技术攻关。在国家重点研发计划“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究”项目支持（项目编号：2022YFB3605500）支持下，研制了高性能MBE外延片，并与国家重点研发计划项目器件团队合作，成功制备了击穿电压大于2000V，电流密度为60 mA/mm的MOSFET横向功率器件，与进口同类型外延片制备器件性能相当。

9月11-13日，第25届中国国际光电博览会（CIOE 2024）在深圳国际会展中心隆重举办。作为上海光学精密机械研究所（简称上海光机所）的孵化企业，杭州富加镓业科技有限公司（简称富加镓业）在上海光机所展区与众多优秀上光系企业一起集中参展。

9月10日，杭州富加镓业科技有限公司6英寸氧化镓单晶及外延片生长线在杭州富阳开工建设。这是国内首条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线，与国际同时起步的6英寸单晶生长技术及更加适合量产的外延技术将“换道超车”，助力新型超宽禁带半导体氧化镓产业链高质量快速发展。