目前，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体受到广泛的关注，人们对SiC在新能源汽车、电力能源等大功率、高温、高压场合，以及GaN在快充领域的应用前景寄予厚望，学术界、投资界和产业界都认可其将发挥传统硅器件无法实现的作用。
然而，SiC 和 GaN 并不是终点，近年来日本对氧化镓(Ga2O3，后简称GaO，与GaN对照)的研究屡次取得进展，使这种第四代半导体的代表材料走入了人们的视野，凭借其比 SiC 和 GaN 更宽的禁带、耐高压、大功率等更优的特性，以及极低的制造成本，在功率应用方面具有独特优势。因此，近几年关于氧化镓的研究又热了起来。
实际上，氧化镓并不是很新的技术，一直以来都有公司和研究机构对其在功率半导体领域的应用进行钻研。但受限于材料供应被日本两家公司垄断，研究受到比较大的阻碍，相关研发工作的风头都被后二者抢去。而随着应用需求的发展愈加明朗，未来对高功率器件的性能要求越来越高，人们更深切地看到了氧化镓的优势和前景，相应的研发工作又多了起来，氧化镓已成为美国、日本、德国等国家的研究热点和竞争重点。另一方面，我国在这方面的研究仍比较欠缺，在日本已经可以推出批量产品、我国国内市场每年翻倍的当下，国内产业化程度仍处于非常初级的阶段。
来源：宇文戬
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