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FUJIA GALLIUM

致力于成为全球宽禁带半导体材料研发的领军企业

富加镓业科技有限公司成立于2019年12月，注册资金851.763万,坐落于美丽的杭州市富阳区，是由中科院上海光机所与富阳区政府共建的“硬科技”产业化平台——杭州光机所孵化的科技型企业。公司专注于宽禁带半导体材料研发，公司核心创始人具有中科院博士、剑桥大学博士等材料领域的深厚背景，团队成员主要来自中国科学院、美英海归等业内资深人才，研发人员中硕士以上比例达到 ...

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产品中心

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UID：1×1016~5×1017 cm-3；Sn：≥1×1018 cm-3；Fe：绝缘≥1×1010 Ω·cm 晶面：(100) 双晶摇摆半高宽：≤150” 位错密度：<1×105 cm-2 尺寸：10 mm×10.5 mm×0.5 mm

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掺杂：Sn 导电性：n型 晶面：(001) 双晶摇摆半高宽：≤150”

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掺杂：Sn 导电性：n 晶面：(100) 双晶摇摆半高宽：≤250”

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掺杂：Sn 导电性：n型 晶面：(001) 双晶摇摆半高宽：≤150”

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测试--一文了解氧化镓材料的发展机遇与挑战

目前，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体受到广泛的关注，人们对SiC在新能源汽车、电力能源等大功率、高温、高压场合，以及GaN在快充领域的应用前景寄予厚望，学术界、投资界和产业界都认可其将发挥传统硅器件无法实现的作用。

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